Японский производитель электроники сообщил о выпуске новых образцов цифровой памяти формата FeRAM (Ferroelectric RAM). Новые модули способны отправлять и получать данные в 8 раз быстрее своих предшественников. При этом, в компании подчеркивают, что память формата Ferroelectric RAM пока находится в стадии разработки и все представленные модули - это пока лишь прототипы.

Память формата FeRAM является сравнительно новым образцом запоминающих устройств. В данной памяти объединены два преимущества от памяти формата DRAM и памяти формата NAND (флеш-память). От первой FeRAM получила возможность быстрого доступа к данным, а от второго - возможность сохранять записанные на модуль памяти данные даже в случае отключения модуля от системы электрического питания.

В Toshiba говорят, что создавали такой образец памяти на протяжении нескольких лет, однако сейчас компания уже почти готова к началу его масштабного производства и внедрения.

Ожидается, что первый новый работающий прототип памяти будет показан компанией на этой неделе в рамках конференции International Solid-State Circuits Conference (ISSCC). Прототип модуля будет иметь емкость в 16 мегабайт, однако скорость его чтения/записи превысит 1,6 Гбайт/сек. Напомним, что в 2006 году Toshiba показала 4-мегабайтный чип, скорость чтения/записи которого составляла 200 Мбайт/сек.

Как сообщили в пресс-службе Toshiba, на сегодняшний день у компании пока нет каких-то конкретных коммерческих планов в отношении FeRAM, так как пока неизвестна дата начала их производства и цена.