Samsung разработала 30-нанометровые чипы DDR3 DRAM

01.02.2010 13:45
Распечатать новость Уменьшить шрифт Увеличить шрифт
Samsung разработала 30-нанометровые чипы DDR3 DRAM

Компания Samsung объявила о разработке первых в мире микросхем памяти DDR3 DRAM, при производстве которых применяется 30-нанометровая технология.

DDR3 DRAM (Double-Data-Rate Three Dynamic Random Access Memory) — динамическая память с произвольным доступом, используемая в разнообразных вычислительных устройствах. DDR3 имеет уменьшенное на 40% потребление энергии по сравнению с модулями DDR2, что обусловлено пониженным с 1,8 до 1,5 В напряжением питания ячеек.

По заявлениям «Самсунга», 30-нанометровые микросхемы DDR3 DRAM обладают на 30% меньшим энергопотреблением по сравнению с чипами, производящимися по 40-нанометровой методике. Это, в частности, позволит несколько увеличить время автономной работы ноутбуков.

Продемонстрированные образцы микросхем имеют емкость 2 Гбит; напряжение питания может составлять 1,5 или 1,35 В. Ожидается, что чипы найдут применение в настольных компьютерах, лэптопах, нетбуках, серверах и мобильных устройствах.

Массовое производство 30-нанометровых микросхем DDR3 DRAM будет освоено компанией во второй половине текущего года.


По материалам: hard.compulenta.ru

Теги: технология, память, Samsung, чип, разработка
    • Очаровательная Николь Кидман превратилась в другую знаменитую киноблондинку (ВИДЕО) Очаровательная Николь Кидман ...
    • Оскар-2014: лучший фильм года - "12 лет рабства" (ВИДЕО) Оскар-2014: лучший фильм года - ...
    • Сексуальная Навка и её мужчины приготовили новые трюки!  Сексуальная Навка и её мужчины ...
    • Топ-50 суперголов лучшего футболиста мира! Топ-50 суперголов лучшего ...

Вверх